接近传感器P+F本体材质NBB2-8GM40-E2

价格
电议

型号
NBB2-8GM40-E2

品牌
倍加福P+F

所在地
暂无

更新时间
2025-02-25 16:53:23

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    接近传感器P+F本体材质NBB2-8GM40-E2

    支持 AS-interface 的接近开关配有故障警告指示、开/关切换延迟和内部振荡器监视功能。这些传感器可配备多种外壳,包括圆柱形、矩形和旋接式“F”形外壳。

    接近传感器P+F本体材质NBB2-8GM40-E2

    传感器特点

    通过外部磁场影响,检测在导体表面产生的涡电流引起的磁性损耗。在检测线圈内使其产生交流磁场,并检测体的金属体产生的涡电流引起的阻抗变化进行检测的方式。

    槽型接近传感器包含一个槽口感测式双线圈系统。如果将一块金属插入槽型传感器中,线圈之间的电感耦合将随着目标金属的插入而减小。一旦电感耦合降至临界值以下,接近开关将被激活。

    凭借其内在的设计优势,此类接近开关受金属特性的影响较小,并且对芯轴方向上的目标位置变化不太敏感。

    在某些环境条件下,标准传感器的可靠性无法保证的使用寿命。例如,如果标准接近传感器暴露于洗车系统的高压喷水中,水可能会进入传感器并产生故障隐患。因此,倍加福设计了新的传感器功能,尽量减少高压环境的影响,同时保在此类应用中实现使用。

    我们的接近开关具有以下设计特点:机械部件(如塑料盖和传感器外壳)的结构更加紧凑、等离子清洁涂有密封胶的所有表面以及预密封线圈系统。这使得能达到明显过 IP67/IP68 级测试要求的防护特性。

    焊接系统中使用的接近传感器耐强磁场,具有适应恶劣环境条件的高机械强度。该系列传感器的感应面由耐用的 Ryton 材料制成,可抵御熔融金属,并配有带耐焊涂层的黄铜外壳。

    此外,作为另外一种方式,还包括检测频率相位成分的铝检测传感器,和通过工作线圈仅检测阻抗变化成分的全金属传感器。

    在检测体一侧和传感器一侧的表面上,发生变压器的状态。


    产品型号:

    NJ4-12GM-N

    OMD30M-R2000-B23-V1V1D-HD-1L

    OBG5000-R100-2EP1-IO-0,3M-V1

    NJ2-V3-N

    NBB15-U1-E2 

    接近开关 NBN15-30GM50-E2  

    接近开关 (187481) NBB20-L2-E2-V1

    光电开关 ML100-8-H-350-RT/95/103 

    光电开关  M100/MV100-RT/76A/103/115 

    光电开关 ML100-8-1000-RT/103/115 

    PVS58N-011AGR0BN-0013

    PVM58N-011AGR0BN-1213

    NJ2-11-SN

    NBN8-12GM50-E2-V1

    UB500-18GM75-E5-V15

    LD31/LV31/25/73c/76a/136

    接近传感器P+F本体材质NBB2-8GM40-E2


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