CNI v2.1是一种非常灵活的纳米压印工具。它可提供热纳米压印、UV纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置。体积小，容易存放。*可处理Ø100毫米（4英寸）所有形状和格式的印章和基板。该系统是手动装卸印章和基板，但所有处理器都是全自动的，软件用户可以完全控制压印过程。

特色：

•    体积小巧，容易存放，桌面型

•    轻微复制微米和纳米级结构

•    热压印温度高达200°C

•    可选的高温模块，适用于240°C

•    UV 纳米压印，365nm曝光

•    真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1毫巴）

•    纳米压印压力高达10巴

•    温度分布均匀、读数*

•    笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据

•    直径*100毫米（圆形）腔室

•    腔室高度为20毫米，可扩展至45毫米

•    即插即用

•    使用简单直观

•    专为研发而设计

•    提供安装和操作教程视频

应用：在过去五年中，石墨烯的气体传感器引起了极大的兴趣，显示出单分子检测。

*近的研究表明，与非图案化层相比，石墨烯的图案化强烈地增加了灵敏度。

通过标准程序生长CVD石墨烯，然后转移到Si / SiO 2基板上进行进一步处理。 如（Mackenzie，2D Materials）中所述，使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。

使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻。 将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃，6巴压力下压印10分钟。 压力在70℃下释放。

通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中，并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。

发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2 / Vs的载流子迁移率，之后具有400cm2 / Vs的载流子迁移率处理，同时保持整体低掺杂水平。