二极管IGBT和MOSFET的静态参数测试仪西安易恩电气

价格
¥188.00

型号
EN-nvf

品牌
西安易恩电气

所在地
西安市

更新时间
2023-12-15 19:35:02

浏览次数


    规格环境

    尺寸:250×570×280(mm)

    质量:15kg

    环境温度:15~40℃

    工作电压;AC220V±10%(无严重谐波)

    电网频率:50Hz

    通信接口;USB RS232

    功能单元

    参数指标

    基本参数

    功率源:3000V/200A

    栅极-发射极漏电流

    IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA

    IGES

    集电极电压VCE: 0V

    栅极电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V

     

     

    集电极电压VCES: 200-3000V±2%±10V

    集电极-发射极电压

    集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

     

    栅极电压 Vge: 0V

    集电极-发射极饱和

    VCESat:0.1-5V±2%±0.01V

    电压VCESat

    栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V

    集电极电流ICE: 10-100A±2%±1A

     

    集电极-发射极截止

    集电极电压VCE: 200-3000V±3%

    集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA

    电流ICES

    栅极电压VGE: 0V

     

    栅极-发射极阈值电

    VGEth: 1-10V±2%±0.1V

    Vce=15V

     

    二极管压降测试

    VF: 0.1-5V±2%±0.01V

    IF:5-100A±2%±1A

     

     

    Vge: 0V

    反向击穿BVR

    BVR200-3000V±2%±10V

    反向漏电流IR

    IR0.1-10mA±3%±0.01mA

     

    导通电阻RDSon

    1-10mΩ±2%±0.1 mΩ

    10-50mΩ±2%±0.5 mΩ

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