BND-5000测试仪指标
技术指标
主极参数
控制极参数
指标
标配
②主极电压:
1mV-2000V
①控制极电压:
100mV-20V
②电压分辨率:
1mV
③主极电流:
0.1nA-100A
③控制极电流:
100nA-10A
④电流分辨率:
0.1nA
⑤测试精度:
0.2%+2LSB
⑥测试速度:
0.5mS/参数
1.3 BND-5000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统,它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。
测试范围 / 测试参数
序号
测试器件
测试参数
01
绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS
02
MOS场效应管
MOS-FET
IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
03
J型场效应管
J-FET
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF
04
二极管
DIODE
IR;BVR ;VF
05
晶体管
(NPN型/PNP型)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
06
双向可控硅
TRIAC
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
07
可控硅
SCR
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH
08
硅触发可控硅
STS
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
VPK-;VGSW+;VGSW-
09
达林顿阵列
DARLINTON
ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON
10
光电耦合
OPTO-COUPLER
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
11
继电器
RELAY
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
12
稳压、齐纳二极管
ZENER
IR;BVZ;VF;ZZ
13
三端稳压器
REGULATOR
Vout;Iin;
14
光电开关
OPTO-SWITCH
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
15
光电逻辑
OPTO-LOGIC
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
16
金属氧化物压变电阻
MOV
ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
17
固态过压保护器
SSOVP
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ-
18
压变电阻
VARISTOR
ID+; ID-;VC+ ;VC-
19
双向触发二极管
DIAC
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
1.4系统曲线测试列举 ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5系统软件支持
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成,具有全屏显示和增强型编辑帮助。
一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下,输入所选器件系列名称和测试类型,并选择所需测试的参数,而不必具有计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间,非常快捷方便。
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BND-5000测试仪指标
技术指标
主极参数
控制极参数
指标
标配
指标
标配
②主极电压:
1mV-2000V
①控制极电压:
100mV-20V
②电压分辨率:
1mV
②电压分辨率:
1mV
③主极电流:
0.1nA-100A
③控制极电流:
100nA-10A
④电流分辨率:
0.1nA
⑤测试精度:
0.2%+2LSB
⑥测试速度:
0.5mS/参数
1.3 BND-5000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统,它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。
测试范围 / 测试参数
序号
测试器件
测试参数
01
绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS
02
MOS场效应管
MOS-FET
IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
03
J型场效应管
J-FET
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF
04
二极管
DIODE
IR;BVR ;VF
05
晶体管
(NPN型/PNP型)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
06
双向可控硅
TRIAC
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
07
可控硅
SCR
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH
08
硅触发可控硅
STS
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
VPK-;VGSW+;VGSW-
09
达林顿阵列
DARLINTON
ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON
10
光电耦合
OPTO-COUPLER
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
11
继电器
RELAY
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
12
稳压、齐纳二极管
ZENER
IR;BVZ;VF;ZZ
13
三端稳压器
REGULATOR
Vout;Iin;
14
光电开关
OPTO-SWITCH
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
15
光电逻辑
OPTO-LOGIC
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
16
金属氧化物压变电阻
MOV
ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
17
固态过压保护器
SSOVP
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ-
18
压变电阻
VARISTOR
ID+; ID-;VC+ ;VC-
19
双向触发二极管
DIAC
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
1.4系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5系统软件支持
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成,具有全屏显示和增强型编辑帮助。
一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下,输入所选器件系列名称和测试类型,并选择所需测试的参数,而不必具有计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间,非常快捷方便。