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首页 >上海乾拓贸易有限公司> 技术文章> P+F传感器NBN12-18GK50-E2-M
P+F传感器NBN12-18GK50-E2-M
2024/11/09 10:36:26
P+F传感器NBN12-18GK50-E2-M
在具有明显不同的再发射水平的漫反射材料上几乎恒定的检测范围。
• 明亮背景前的黑暗物体被可靠地记录下来。• 对调整后的检测范围之外的物体的干扰反射不敏感• 高稳定性控制。• 安装成本低廉,因为传感器仅由一个单元组成,不需要反射器。的原则前景抑制类似于背景抑制。这种类型的漫射模式传感器忽略所有比先前调整的*小检测范围更靠近传感器的物体。
.2 会聚模式传感器。会聚模式传感器是更有效的扩散模式感测类型。发射器透镜聚焦到传感器前面的点,接收器透镜聚焦到该点点。会聚模式传感器的范围是固定的,并被定义为该焦点。传感器能够检测焦点处的物体,加上或减去一定距离。因为所有发射的能量都聚焦到单个点,所以大量的额增益是可用的。这种额增益使传感器能够轻松检
测窄或低反射率目标。
PDB12PZ-09-C-N-330V330-24PG-8.8 |
PXV100-F200-B17-V1D |
2只 NBB1,5-8GM40-E2-C |
Ncn25-f35-a2-250-15m-v1 |
12支 NCN4-12GM35-N0 Pepperl+Fuchs |
NBB10-30GM40-Z0 |
V1-G-N-2M-PUR |
4只 V1-G-5M-PVC |
OBR4000-18GM60-E5-1C |
10只 行程开关型号:NCB2-V3-NODC24V |
10只 行程开关型号 NJ2-V3-N-Y220141 |
5只 OBR4000-18GM60-E5-V1-1C |
A3H180-FR14K-10 日本YUEKN |
AMN-D-10 1个,日本油研 |
TP-103A-G1/8-H1141-L013 |
RSSD-RJ45S-4422-20 |
TURCK BC3-S12-AP6X |
继电器SE-304C |
40只 Z4V7H 335-11Z-RVA-2272/2654 |
P+F传感器NBN12-18GK50-E2-M