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HORIBA掘场EV 2.0 等离子体排放监测器北崎国际
2025/02/12 13:54:16
HORIBA掘场EV 2.0 等离子体排放监测器北崎国际
HORIBA掘场EV 2.0 等离子体排放监测器北崎国际
在半导体制造工艺中,等离子体技术用于各种制造工艺,包括薄膜沉积和蚀刻。
它是一种等离子体发光监测器,可用于从各种等离子室的研发到生产线的广泛应用,例如过程终点检测、状态管理和等离子体诊断。
从高分辨率、宽范围和小尺寸三种新开发的型号中,可以根据用途选择*规格。 此外,分析软件可以满足广泛的需求,例如从血浆中的微小信号变化中检测的终点,以及血浆过程的异常监测。
- 3 种型号可供选择,以满足您的应用需求
- 可直接安装在工艺室的窗口上
- 高度*化的软件支持从研发到大规模生产的广泛应用。
- 一台 PC 可以同时测量多达 6 个腔室(6 个等离子体发射监测
型 |
高分辨率 EV2.0 HR |
宽范围型 EV2.0 STD |
小型 EV2.0 LR |
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测量波长范围 | 300 - 800 纳米 | 200 - 1050 纳米 | 300 - 900 纳米 |
焦距 | 75 毫米 | 75 毫米 | 20 毫米 |
波长分辨率 | 1 纳米 | 2.5 纳米 | 6.5 纳米 |
探测器 |
薄型背照式 CCD 图像传感器 (元件数:2048 x 16) |
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传感器单元尺寸 | 105 x 135 x 135 毫米 | 105 x 135 x 135 毫米 | 70 x 135 x 125 毫米 |
传感器单元重量 | 850 克 | 850 克 | 610 克 |
传感器单元电源规格 | 直流 24V | 直流 24V | 直流 24V |
应用程序 | Sigma-P、配方设计师2.0 |
* 传感器单元和 PC 配有 AC100V 电源。
* 有关光纤、腔室适配器、多通道 PC 和其他规格,请联系我们。