HORIBA掘场RU-1000等离子体发射控制器
HORIBA掘场RU-1000等离子体发射控制器
触摸屏薄膜和玻璃基板通过反应溅射沉积在基板上。 反应溅射法是溅射粒子与氧气和氮气在真空中发生化学反应形成薄膜的方法,但反应气体供应法的沉积速度慢,难以投入实际使用。 然而,众所周知,存在一种沉积速率变化很大的过渡模式,尽管它在反应模式和沉积速率快的金属模式之间不稳定,并且可以通过控制等离子体发射强度的反应气体来维持过渡区。
RU-1000 等离子体发射控制器使用传感器来捕获等离子体发射强度,并使用专有算法指示内部高速响应质量流量控制器适当的反应气体流速,从而提高接近金属模式的沉积速率并实现稳定的成膜。
在等离子体发射控制器的生产中,HORIBA CORPORATION 负责测量等离子体发射强度的光学设计的基本设计,HORIBA S-Tech Co., Ltd. 负责控制高速反应气体流速的功能部件的设计。 HORIBA 是汽车尾气分析仪、薄膜测量和物理化学分析领域的*公司,由于这些分析技术的基本原理是光学测量技术,因此等离子体发射测量由该领域的*公司进行。 另一方面,反应气体流量控制单元由质量流量控制器(气体流量控制装置)的制造商处理,该控制器*常用于世界各地的半导体制造设备。 RU-1000 等离子体发射控制器将通过汇集 HORIBA 集团的*技术来迎接将技术发展到更高水平的挑战。
为了匹配您的系统并放心采用,我们为您提供控制器和等离子体测量单元等系统。
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