资料

NEWS

您现在的位置:首页 > 资料管理 > 基本常识

结构分析P+F接近传感器NBN8-12GM50-A2-V1

发布时间:2024/01/03 16:44:06 发布厂商:上海乾拓贸易有限公司 >> 进入该公司展台

结构分析P+F接近传感器NBN8-12GM50-A2-V1

产品作用:

电感式模拟量输出传感器用于探测特定工作范围内的金属物体。物体的距离被转换为与之成正比的模拟输出信号,因此这些传感器非常适合测量和控制应用。倍加福提供的该系列产品的探测距离分为 2 - 5 mm、3 - 8 mm 和15 - 40 mm 三种。由于我们的电感式模拟传感器产品的温度偏差很低,每摄氏度仅为*终值的 1/1000,即使在非恒定环境条件下,这些传感器也能保证测量的可靠性和准确性。

 与接触式不同,会受周围温度的影响、周围物体、同类传感器的影响包括感应型、静电容量型在内,传感器之间相互影响。因此,对于传感器的设置,需要考虑相互干扰。此外,在感应型中,需要考虑周围金属的影响,而在静电容量型中则需考虑周围物体的影响。

有些应用对传感器的稳健性要求特别高。这些坚固耐用的“金属面”传感器封装在不锈钢外壳中,是此类高要求应用的理想选择。诸如机床或金属加工之类的应用通常会使传感器受到目标物的冲击、磨损以及侵蚀性溶剂和流体的影响。

在这些应用中,带有不锈钢感测面的传感器可以减少停机时间并延长使用寿命,从而提升整个生产过程的盈利性。

由于能以非接触方式进行检测,所以不会磨损和损伤检测对象物。

由于采用无接点输出方式,因此寿命延长(磁力式除外)采用半导体输出,对接点的寿命无影响。

与光检测方式不同,适合在水和油等环境下使用检测时几乎不受检测对象的污渍和油、水等的影响。此外,还包括特氟龙外壳型及耐药品良好的产品

我们的“金属面”产品系列 (NMB…) 分为两种类型,(FE) 型用于探测含铁金属,(NFE) 型用于探测不含铁金属。

通过外部磁场影响,检测在导体表面产生的涡电流引起的磁性损耗。在检测线圈内使其产生交流磁场,并检测体的金属体产生的涡电流引起的阻抗变化进行检测的方式。

此外,作为另外一种方式,还包括检测频率相位成分的铝检测传感器,和通过工作线圈仅检测阻抗变化成分的全金属传感器。

在检测体一侧和传感器一侧的表面上,发生变压器的状态。

结构分析P+F接近传感器NBN8-12GM50-A2-V1

常用型号:

SJ30-A2 德国倍加福原版进口

P+F 读码器WCS3B-LS311  

V1-G-2M-PVC 

光电传感器  ML100-8-W-200-RT/102/115   

附带连接头(防水,带2米延长线缆)  V1-G-2M-PUR  

NBB8-18GM30-E2-V1

 NBB10-30GM50-E2-V1 

ML100-55/103/115B  

倍加福 漫反射光电开关ML100-8-1000-RT/103/115

需配带连接线   V15-G-2M-PVC

倍加福UC2000-30GM-IUR2-V15  

NBB5-18GM50-E2 (10-30VDC) 

SC3.5-G-NO  

NCB15-30GM50-Z5

结构分析P+F接近传感器NBN8-12GM50-A2-V1

倍加福接近传感器订货号
P+F传感器选型资料
倍加福接近开关效果图
上一篇:迪庆托管房屋安全鉴定机构资质齐全
下一篇:伊犁厂房沉降监测机构新疆吉奥普

以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,仪器仪表交易网对此不承担任何保证责任。
温馨提示:为规避购买风险,建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。

首页| 关于我们| 联系我们| 友情链接| 广告服务| 会员服务| 付款方式| 意见反馈| 法律声明| 服务条款


在手机上查看